MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija

MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija
MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self-registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate-MOS-Technologie, f rus. технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами, f pranc. technologie des structures MOS à grilles auto-alignées, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Поможем написать курсовую

Look at other dictionaries:

  • patobulinta MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. advanced MOS self aligned gate process vok. fortgeschrittene MOS Technologie mit selbstjustierendem Gate, f rus. усовершенствованная МОП технология с самосовмещёнными затворами, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными поликремниевыми затворами, f pranc. technologie de… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • selbstjustierte Gate-MOS-Technologie — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • self-registered gate MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • technologie des structures MOS à grilles auto-alignées — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • advanced MOS self-aligned gate process — patobulinta MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. advanced MOS self aligned gate process vok. fortgeschrittene MOS Technologie mit selbstjustierendem Gate, f rus.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • fortgeschrittene MOS-Technologie mit selbstjustierendem Gate — patobulinta MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. advanced MOS self aligned gate process vok. fortgeschrittene MOS Technologie mit selbstjustierendem Gate, f rus.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • technologie MOS perfectionnée à grilles polysiliciums auto-alignées — patobulinta MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. advanced MOS self aligned gate process vok. fortgeschrittene MOS Technologie mit selbstjustierendem Gate, f rus.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”